Intel幹回40多年前的老本行：研發下一代內存ZAM 4年後量產

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不僅性能強還要功耗低，回多后量以便滿足AI數據中心訓練和推理的年前内存M年需要。傲騰這種內存+閃存結合體的本行技術反而有了用武之地，但這代內存是下代麵向AI和高性能計算市場的，ZAM內存應該是回多后量HBM技術的某種低成本實現，Intel前幾天放棄的年前内存M年傲騰內存顯然是非常可惜的，

雙方的本行目標是在截至2028年3月31日的2027財年中研發出名為Z-Angle Memory（簡稱為ZAM）的內存原型，容量更大。下代沒想到現在又要幹回老本行了，回多后量Intel公司做內存起家，年前内存M年

依現有技術猜測的本行話，

據雙方的下代公告，現在的回多后量ZAM內存說不定就是傲騰的進化版。高帶寬，年前内存M年但功耗更低，本行40多年前因為日本廠商的競爭才不得不轉向CPU研發生產，

勞倫斯利弗莫爾和洛斯阿拉莫斯三大國家實驗室的AMT先進存儲技術計劃的支持。需要大容量、也就是要等4年後。該計劃也得到了美國能源部下屬的桑迪亞、

ZAM內存的具體指標還沒公布，導致Intel及美光都放棄了這個技術。並計劃在2029財年（2030年3月31日截止）實現量產，Intel將聯合軟銀旗下的子公司SAIMEMORY推動下一代內存技術的商業化，然而之前因為成本較高，其性能介於內存與閃存之間，聯合軟銀研發下一代內存ZAM。

說到這裏，後者將基於Intel下一代內存鍵合計劃NGDB驗證的新一代內存基礎技術和知識開發而來，

但是現在AI時代，

2月3日消息，