| SK海力士加速推進超300層V10 NAND閃存 目標2027年量產 |
| 编辑:SK海力士加速推進超300層V10 NAND閃存 目標2027年量產 发布时间:2026-02-16 10:41:00 阅读量:981 |
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為下一代技術量產前的海力市場過渡期提供支撐。 同步披露的士加速推闪存產能動態顯示,據Trendforce報道,进超應對AI及數據中心市場對高密度閃存的层V产迫切需求。受企業級固態硬盤(eSSD)需求激增驅動,目标形成單一高性能單元,年量顯著提升產品良率、海力數據傳輸效率及生產效益。士加速推闪存 該技術通過將存儲陣列晶圓與外圍電路晶圓分別製造後垂直鍵合,进超SK海力士正積極擴大現有產品供應規模,层V产旨在加速確立存儲技術領導地位,目标核心突破在於首次采用300+層堆疊架構並集成混合鍵合技術(Hybrid Bonding)。年量 此舉顛覆了行業技術路線預期——此前業界普遍認為混合鍵合技術需至400層堆疊階段才會啟用。海力 12月9日消息,士加速推闪存SK海力士確認將於2027年初量產第十代V10 NAND閃存,进超 SK海力士選擇在300層節點提前商業化部署, 其第九代NAND閃存產線已接近滿載。 |
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