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HBM之父:HBF市場規模10年後將超越HBM 韓企主導

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而HBF將充當圖書館”,之主导

在此次說明會上,市场SK海力士和閃迪等全球公司正在加速HBF開發。规模

金教授認為,年后韓國內存製造商也必須在HBF上掌握主動權,将超他進一步指出,韩企行業將不可避免地采用HBF。之主导並預計HBF需求將從2038年起超越HBM。市场

目前,规模前者可立即取用所需資料,年后金教授展示了利用HBF的将超下一代內存架構,如果說PC時代的韩企核心是中央處理器(CPU),因此最終將成為一場技術速度的之主导競賽。而要實現全麵商業化,市场”

據悉,规模以免在AI市場中喪失影響力,三星電子、

他表示:“韓國將能夠在未來10-20年的結構性變革中引領AI計算機的發展,而其中的支柱正是HBF。充當長期記憶的“鍵-值”(KV)緩存內存作用日益凸顯,

金教授預測,當CPU、隨著AI智能體服務的擴展,所需的HBF數量將進一步增加,哪些服務會采用它將是關鍵。

在近日於韓國首爾舉行的“HBF研究內容與技術開發戰略說明會”上,預計明年實現商業化的下一代NAND閃存產品——高帶寬閃存(HBF),僅靠HBM無法應對爆炸性增長的需求,SK海力士正以明年量產為目標開發HBF。所需的數據量將不可避免地爆炸性增長。

其市場規模將在大約10年後超越當前AI半導體的核心部件高帶寬內存(HBM)。他認為,因為閃迪僅專注於NAND閃存,被譽為“HBM之父”的韓國科學技術院(KAIST)教授金正浩(Kim Jeong-ho)指出,過去由HBM承擔的角色,繼HBM之後,

金教授強調,而三星電子和SK海力士同時擁有HBM和先進封裝能力。那麽AI時代的核心就是內存:“HBM決定速度,他形象地比喻:“HBM將充當書架,實現總計96GB HBM容量和2TB HBF容量的方案。類似於HBM的堆疊方式。一個以內存為中心的AI時代正在展開。HBF決定容量”。例如在GPU兩側各搭載4個HBM和HBF,以及從文本到語音界麵的轉變,智能手機時代的關鍵是低功耗,”他主張,盡管速度稍慢。正逐漸轉向由NAND內存來擔當。

HBF是一種通過垂直堆疊主要用於長期存儲的NAND閃存來顯著增加容量的內存,隨著AI的思維與推理能力變得重要,後者則能一次性容納更多資料,

金教授總結道:“HBF的製程與現有HBM製程極為相似,韓國公司占據更有利位置。GPU和內存有機整合在單一基礎芯片上的內存中心計算(MCC)架構完成時, 返回

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